IT之家 11 月 1 日讯息比特派钱包下载，凭证 DigiTimes 报谈，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 透露，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个增多到 4 个，有望明显改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的跳跃地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，计算 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过增多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管增多纳米片数目比特派钱包下载，不错增强驱动电流，从而赞助性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关才气和首先速率。

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此外，更多的纳米片不错更好地限度电流，这有助于减少走电流，从而镌汰功耗。此外，鼎新的电流限度还意味着晶体管产生的热量更少，从而赞助了功率后果。

IT之家此前报谈比特派钱包下载，三星还计算在 1.4nm 工艺中秉承背部供电（BSPDN）技能，旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲，但于今仍未在全国畛域内实践。

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但个股市值体量、股性以及所处的市场环境不同均会影响OBV策略的有效性。保守起见，策略哥特地回测了近几年格尔软件相同指标形态的出现次数及后续影响，数据发现格尔软件从2020年起共出现过3次OBV创新高的情况。

天然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技能节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺技能亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩道路束缚地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也束缚缩窄，从而对彼此产生侵扰，而 BSPDN 技能则不错克服这一截至，这是因为咱们不错行使晶圆后面来构建供电道路，以分隔电路和电源空间。

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《三星计算 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电技能》

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